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厂商型号

NTB6413ANG 

产品描述

Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Rail

内部编号

277-NTB6413ANG

生产厂商

on semiconductor

onsemi

#1

数量:290
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#2

数量:0
最小起订量:1
美国费城
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NTB6413ANG产品详细规格

规格书 NTB6413ANG datasheet 规格书
NTB6413ANG datasheet 规格书
NTB,NTP6413AN
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 50
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 100V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 42A
Rds(最大)@ ID,VGS 28 mOhm @ 42A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 4V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 51nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 1800pF @ 25V
功率 - 最大 136W
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装 D2PAK
包装材料 Tube
包装 3D2PAK
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 100 V
最大连续漏极电流 42 A
RDS -于 28@10V mOhm
最大门源电压 ±20 V
典型导通延迟时间 13 ns
典型上升时间 84 ns
典型关闭延迟时间 52 ns
典型下降时间 71 ns
工作温度 -55 to 175 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Rail / Tube
最大门源电压 ±20
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 175
标准包装名称 D2PAK
最低工作温度 -55
渠道类型 N
封装 Rail
最大漏源电阻 28@10V
最大漏源电压 100
每个芯片的元件数 1
供应商封装形式 D2PAK
最大功率耗散 136000
最大连续漏极电流 42
引脚数 3
铅形状 Gull-wing
FET特点 Standard
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 42A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 4V @ 250µA
封装/外壳 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商设备封装 D2PAK
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 28 mOhm @ 42A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 136W
漏极至源极电压(Vdss) 100V
输入电容(Ciss ) @ VDS 1800pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS 51nC @ 10V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
类别 Power MOSFET
配置 Dual Drain, Single
外形尺寸 10.29 x 9.65 x 4.83mm
身高 4.83mm
长度 10.29mm
最大漏源电阻 28 mΩ
最高工作温度 +175 °C
最大功率耗散 136 W
最低工作温度 -55 °C
包装类型 D2PAK
典型栅极电荷@ VGS 51 nC V @ 10
典型输入电容@ VDS 1800 pF V @ 25
宽度 9.65mm
RoHS RoHS Compliant
晶体管极性 :N Channel
Continuous Drain Current Id :42A
Drain Source Voltage Vds :100V
On Resistance Rds(on) :25.6mohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :10V
Threshold Voltage Vgs :4V
功耗 :136W
Weight (kg) 0
Tariff No. 85412100
associated MM02104
80-4-5
3613

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